原硅和制絨后硅片在功能上存在顯著的差別，主要體現在以下幾個方面：

1. 表面形態與結構

• 原硅片：原硅片通常具有相對平滑的表面，沒有明顯的紋理或結構。這種平滑的表面在某些應用中可能是有利的，例如在一些需要高平整度或低粗糙度的場合。

• 制絨后硅片：通過制絨工藝處理后的硅片表面會形成具有角錐體（金字塔狀）的絨面結構。這種結構能夠顯著增加硅片的表面積，從而在后續的光電轉換過程中提供更多的反應位點。

2. 光吸收與反射率

• 原硅片：由于表面光滑，原硅片對光的反射率較高，這意味著相當一部分入射光會被直接反射回去，而不是被硅片吸收利用。

• 制絨后硅片：制絨工藝通過形成絨面結構，有效降低了硅片的表面反射率。這種絨面結構能夠增加光在硅片表面的散射和吸收，從而提高光電轉換效率。具體來說，絨面電池比光面電池的反射損失小，如果再加減反射膜，其反射率可進一步降低。同時，入射光在光錐表面多次折射，不僅延長了光程，還增加了對紅外光子的吸收，進而提高了光生載流子的收集幾率。

3. 光電轉換效率

• 原硅片：由于反射率較高，原硅片在光電轉換過程中能夠吸收的光子數量相對較少，因此光電轉換效率相對較低。

• 制絨后硅片：制絨后的硅片由于反射率降低和光吸收增加，光電轉換效率顯著提高。此外，在同樣尺寸的基片上，絨面電池的PN結面積比光面大得多，這也有助于提高短路電流和轉換效率。

4. 應用場合

• 原硅片：原硅片適用于對表面平整度要求較高或不需要高光電轉換效率的場合。

• 制絨后硅片：制絨后的硅片廣泛應用于太陽能電池等需要高效光電轉換的場合。此外，由于其表面形貌的特殊性，制絨后硅片還可能在其他需要特殊表面結構的領域中發揮作用。

綜上所述，原硅和制絨后硅片在表面形態、光吸收與反射率、光電轉換效率以及應用場合等方面都存在顯著的差別。制絨工藝通過改變硅片的表面形態和結構，顯著提高了其光電轉換效率和應用性能。